- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录529 > UPA675T-T2-A (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH DUAL 16V SC-70
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
μ PA675T
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
FOR HIGH SPEED SWITCHING
DESCRIPTION
The μ PA675T is an N-channel vertical MOS FET. Because it
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
0.2 - 0
0.15 - 0.05
can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not
necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an
actuator for low-current portable systems such as headphone
+0.1
+0.1
stereos and video cameras.
6
5
4
0 to 0.1
FEATURES
? Two MOS FET circuits in package the same size as SC-70
1
2
3
?
?
?
Automatic mounting supported
Gate can be driven by a 1.5 V power source
Because of its high input impedance, there’s no need to
consider a drive current
0.65 0.65
1.3
2.0 ±0.2
0.7
0.9 ±0.1
? Since bias resistance can be omitted, the number of
components required can be reduced
PIN CONNECTION
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
6
5
4
μ PA675T
Note
SC-88 (SSP)
1.
Source 1
(S1)
Note Marking: SA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
2.
3.
4.
5.
6.
Gate 1
Drain 2
Source 2
Gate 2
Drain 1
(G1)
(D2)
(S2)
(G2)
(D1)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
V DSS
16
V
1
2
3
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (Tc = 25°C)
V GSS
I D(DC)
±7.0
±0.1
V
A
Drain Current (pulse)
Note
I D(pulse)
±0.2
A
Total Power Dissipation (T C = 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T
T ch
T stg
0.2
150
–55 to +150
W
°C
°C
Note PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%
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confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. G15454EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published May 2001 NS CP(K)
Printed in Japan
?
2001
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